کندوپاش مغناطیسی

Magnetron sputtering (nano pvd moorfield)

معرفی دستگاه
High-performance, high-vacuum PVD systems in a compact package for benchtop location. Can be equipped for evaporation or magnetron sputtering techniques and, most recently, a combination of both. Superior, efficient performance for a multitude of R&D thin-film deposition applications
 
در سال‌های اخیر، علم لایه‌های نازک رشد قابل ملاحظه‌ای داشته و حجم وسیعی از تحقیقات را به خود اختصاص داده است. بی‌شک رشد چشمگیر ارتباطات، پردازش اطلاعات، ذخیره‌سازی، صفحه‌های نمایش، صنایع تزئینی، ابزارآلات نوری، مواد سخت و عایق‌ها نتیجه تولید لایه‌های نازک براساس فناوری‌های نوین می‌باشد. در ساخت لایه‌های نازک نیز در سال‌های اخیر تحولات وسیعی صورت گرفته است که خود ناشی از پیشرفت در فناوری خلاء، تولید میکروسکوپ‌های الکترونی و ساخت وسایل دقیق و پیچیده‌ی شناسایی مواد است. همچنین باز شدن مباحثی نظیر میکروالکترونیک، اپتیک و نانوتکنولوژی مدیون اهمیت پوشش‌های لایه‌نازک می‌باشد.
تا به امروز روش‌های مختلفی برای ساخت لایه‌های نازک معرفی شده است که روش کندوپاش یکی از انواع روش‌های لایه‌نشانی فیزیکی بخار (PVD) محسوب می‌شود. در این مقاله به معرفی روش کندوپاش یونی (اسپاترینگ) به‌عنوان روشی برای تولید لایه‌های نازک خواهیم پرداخت.
اسپاترینگ در فیزیک به پدیده‌ای گفته می‌شود که در آن پلاسمایی متشکل از ذرات/ یون‌های پرانرژی با برخورد به سطح یک هدف جامد ذرات سطح را به بیرون پرتاب می‌‌کنند. این پدیده به طور طبیعی در فضای بیرونی موجب شکل دادن جهان و خوردگی فضاپیماها می‌شود. بر روی زمین، علم و صنعت از فرآیند اسپاترینگ در ایجاد یا حذف لایه‌های نازک نانومتری در کاربردهای متفاوت در اپتیک، الکترونیک و غیره استفاده می‌کند.
به منظور انجام فرایند لایه نشانی در خلاء با استفاده اسپاترینگ نیاز است تا در محیط پلاسما یون‌هایی به سمت ماده هدف شلیک شوند. گاز مورد نظر برای استفاده در این فرایند باید دارای دو ویژگی باشد: اول اینکه وزن آن باید به اندازه‌ای باشد که بتواند اتم ماده هدف را تحت تاثیر قرار دهد و دوم اینکه نباید با ماده هدف وارد واکنش شیمیایی شود.
با توجه به موارد ذکر شده گازهای مورد استفاده در فرایند اسپاترینگ از گروه گازهای نجیب ستون انتهایی جدول تناوبی (آرگون، زنون و …) هستند. گاز آرگون متداول‌ترین گاز مورد استفاده در این فرایند است.
مشخصات دستگاه
Key features:
  • Benchtop configuration
  • Water-cooled magnetron sputtering sources for industry-standard 2″ targets
  • MFC-controlled process gases
  • DC and/or RF power supplies
  • Fully automatic operation via touchscreen HMI
  • Define/save multiple process recipes
  • Up to 4” diameter substrates
  • Base pressures 5 × 10-7 mbar
  • Equipped for easy servicing
  • Comprehensive safety features
  • Cleanroom compatible
  • Proven performance
:Options
  • Dry backing pump
  • Fast chamber vent
  • Automatic high-resolution pressure control
  • Additional process gases
  • 500 °C substrate heating stage
  • Substrate rotation, Z-shift and shutters
  • Up to 3 magnetron sputtering sources
  • RF and/or DC power supplies
  • SputterSwitch power supply/source switching technology
  • Co-deposition
  • Quartz crystal sensor head
اطلاعات تماس:
کارشناس مسئول آزمایشگاه مرکزی: آقای مهندس سعید جوادی آناقیزی (مشاوره در زمینه چگونگی استفاده از سرویس‌ها و دستگاه‌ها)
29905428
29905427
دریافت خدمات دستگاه
  • جهت تعیین وقت و انجام آنالیز لطفا فرم مربوط به خدمات این دستکاه را تکمیل و ارسال کرده و با واحد پذیرش تماس حاصل فرمایید.
  • لازم به‌ذکر است اعضای محترم هیات‌علمی دانشگاه شهید بهشتی از تخفیف مصوب هیئت ریسه دانشگاه برخوردار خواهند بود
فرم درخواست آزمون کندوپاش مغناطیسی